UMD9N

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UMD9N中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: UMD9N
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:数字晶体管(双数字晶体管为逆变器驱动) Digital Transistor Dual Digital Transistors for Inverter Drive

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