UMX1N

UMX1N中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 120

封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

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型号: UMX1N
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:通用晶体管(双晶体管) General purpose transistors dual transistors

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