UMG2N

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UMG2N中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-353

外形尺寸

封装 SOT-353

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: UMG2N
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:发射器通用(双数字晶体管) Emitter common dual digital transistors

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