US6T4

US6T4图片1
US6T4中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 -12V

集电极最大允许电流 -3A

最小电流放大倍数hFE 270

最大电流放大倍数hFE 680

封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: US6T4
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:低频放大器 Low frequency amplifier

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