US5U30

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US5U30概述

US5U30 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V 1A 500mA/0.5A 0.47V SOT-353/SC70-5/TUMT5 marking/标记 U30 DC-DC转换器/低导通电阻/低驱动电压/高速开关

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| P沟道 P-Channel \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| 12V 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 390mΩ@ VGS =- 4.5V, ID = -1A 耗散功率PdPower Dissipation| -0.7~-2.0V Description & Applications| 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes 描述与应用| 20V


US5U30中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.57 Ω

极性 P+SBD

漏源极电压Vds -20V

连续漏极电流Ids -1A

封装参数

封装 SOT-353

外形尺寸

封装 SOT-353

其他

最小包装 3000

数据手册

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型号: US5U30
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:US5U30 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V 1A 500mA/0.5A 0.47V SOT-353/SC70-5/TUMT5 marking/标记 U30 DC-DC转换器/低导通电阻/低驱动电压/高速开关

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