UMH2 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 30mA R1=R2=47KΩ 150mW/0.15W SOT-363/UMT6/SC-88/SC70-6 标记H2 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 30mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | Features • General purposedual digital transistors • Two DTC144Es chips in a EMT or UMT or SMT package. • Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. • Transistor elements are independent, eliminating interference. • Mounting cost and area can be cut in half. 描述与应用 | 特点 •通用(双数字晶体管) •两个DTC144Es芯片在EMT或UMT或SMT封装。 •安装可能与EMT3或UMT3或SMT3自动安装机器。 •晶体管元素是独立的,消除干扰。 •安装成本和面积可减少一半。
封装 SOT-363
封装 SOT-363
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO 50V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO 50V
集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC 30mA
Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 47KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 47KΩ/Ohm
Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 47KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 47KΩ/Ohm
Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio 1
截止频率fT Transtion FrequencyfT 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW/0.15W
RoHS标准 RoHS Compliant
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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UMH2 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
UMH2NTN 罗姆半导体 | 功能相似 | UMH2和UMH2NTN的区别 |
UMH2NTR 罗姆半导体 | 功能相似 | UMH2和UMH2NTR的区别 |