UT6K3TCR概述
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.5 V
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 5.5A 2W Surface Mount HUML2020L8
得捷:
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
贸泽:
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, DFN2020, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin HUML EP T/R
安富利:
30V Nch+Nch Middle Power MOSFET
UT6K3TCR中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.03 Ω
耗散功率 2 W
阈值电压 500 mV, 500 mV
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 ±30 V
上升时间 5.8 ns
输入电容Ciss 450pF @15VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 5.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerUDFN-6
外形尺寸
封装 PowerUDFN-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
UT6K3TCR引脚图与封装图 
在线购买UT6K3TCR
型号： UT6K3TCR
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.5 V