UT6JA2TCR参数规格_中文资料_数据手册PDF

UT6JA2TCR概述

2个P沟道 30V 4A

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 30V 4A 2W Surface Mount HUML2020L8

立创商城:
2个P沟道 30V 4A

得捷:
-30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

贸泽:
MOSFET -30V Pch+Pch Si MOSFET

UT6JA2TCR中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 P-CH

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 ±30 V

连续漏极电流Ids 4A

输入电容Ciss 305pF @15VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerUDFN-6

外形尺寸

封装 PowerUDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

UT6JA2TCR引脚图与封装图

在线购买UT6JA2TCR

型号： UT6JA2TCR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：2个P沟道 30V 4A