UGB10DCT-E3/81参数规格_中文资料_数据手册PDF

UGB10DCT-E3/81概述

整流器 10A 200V 25ns Dual

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast recovery times

• Soft recovery characteristics

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C for TO-263AB package

• Solder dip 260 °C, 40 s for TO-220AB and ITO-220AB package

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

得捷:
DIODE ARRAY GP 200V 5A TO263AB

贸泽:
整流器 10A 200V 25ns Dual

UGB10DCT-E3/81中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.1V @5A

反向恢复时间 25 ns

正向电压Max 1.1V @5A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.45 mm

宽度 9.14 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UGB10DCT-E3/81

型号： UGB10DCT-E3/81

描述：整流器 10A 200V 25ns Dual

替代型号UGB10DCT-E3/81

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
UGB10DCT-E3/81 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
UGB10DCTHE3/81 威世	完全替代	UGB10DCT-E3/81和UGB10DCTHE3/81的区别
UGB10DCT-E3/45 威世	完全替代	UGB10DCT-E3/81和UGB10DCT-E3/45的区别
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