UMH1N

UMH1N中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买UMH1N
型号: UMH1N
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:通用(双数字晶体管) General purpose dual digital transistors
替代型号UMH1N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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