UT6MA2TCR

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UT6MA2TCR概述

1个N沟道和1个P沟道 30V 4A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4A(Ta) 2W(Ta) 表面贴装型 HUML2020L8


欧时:
30V Nch+Pch Middle Power MOSFET


立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 30V 4A


得捷:
UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA


UT6MA2TCR中文资料参数规格
技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerUDFN-8

外形尺寸

封装 PowerUDFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买UT6MA2TCR
型号: UT6MA2TCR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:1个N沟道和1个P沟道 30V 4A

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