UMG4N-7

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UMG4N-7概述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT353

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 SOT-353


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 5-Pin SOT-353 T/R


Win Source:
DUAL NPN PRE-BIASED TRANSISTOR


UMG4N-7中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-353

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-353

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买UMG4N-7
型号: UMG4N-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT353

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