OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
电源开关/驱动器 1：1 N 通道 3.5A 8-SOIC
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
贸泽:
Gate Drivers N-Ch 45V 3.5A Omni
艾睿:
Linear Current Limitation
输出接口数 2
输出电流 3.5 A
漏源极电阻 120 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 4.00 W
漏源击穿电压 45.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
输出电流Max 3.5 A
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
封装 SO-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VNS3NV04D-E ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VNS3NV04TR-E 意法半导体 | 类似代替 | VNS3NV04D-E和VNS3NV04TR-E的区别 |
FAN7362M 飞兆/仙童 | 功能相似 | VNS3NV04D-E和FAN7362M的区别 |
VNS3NV04DTR-E 意法半导体 | 功能相似 | VNS3NV04D-E和VNS3NV04DTR-E的区别 |