VS-GT100NA120UX参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GT100NA120UX概述

VISHAY VS-GT100NA120UX IGBT Single Transistor, 134A, 2.36V, 463W, 1.2kV, SOT-227, 4Pins

IGBT Module Trench Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227

得捷:
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 134A 4-Pin SOT-227

VS-GT100NA120UX中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 463 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 463 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 463000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.3 mm

宽度 25.7 mm

高度 12.3 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-GT100NA120UX

描述：VISHAY VS-GT100NA120UX IGBT Single Transistor, 134A, 2.36V, 463W, 1.2kV, SOT-227, 4Pins