VNN1NV04TR-E概述
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 1.7A SOT-223
得捷:
IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223
贸泽:
门驱动器 N-Ch 40V 1.7A Omni
艾睿:
Linear Current Limitation
TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 40V; 1.7A; SOT223
Win Source:
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN1NV04TR-E中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 45.0V max
输出接口数 1
输出电流 2.60 A
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 7.00 W
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
输出电流Max 1.7 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买VNN1NV04TR-E
型号： VNN1NV04TR-E
描述：OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET