VNS1NV04D参数规格_中文资料_数据手册PDF

VNS1NV04D中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

漏源极电阻 250 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 4 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

钳位电压 45 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNS1NV04D

型号： VNS1NV04D

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

替代型号VNS1NV04D

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VNS1NV04D ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
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