VNS1NV04D-E概述
â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 1.7A 8-SO
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
艾睿:
Linear Current Limitation
TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET, dual; 40V; 1.7A; SO8
VNS1NV04D-E中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 1.70 A
输出接口数 2
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 4.00 W
漏源极电压Vds 40.0 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输出电流Max 1.7 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买VNS1NV04D-E
型号： VNS1NV04D-E
描述：â ???? OMNIFET IIA ???? ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET âOMNIFET IIâ: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET