TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
The is a Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier with solderable matte tin-plated terminals. It is suitable for use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, free-wheeling diodes, OR-ing diode and reverse battery protection.
针脚数 3
正向电压 930mV @10A
正向电流 20 A
最大正向浪涌电流(Ifsm) 120 A
正向电压Max 930 mV
正向电流Max 20 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.2 mm
宽度 8.99 mm
高度 1.8 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Commercial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
V20DM120C-M3/I Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
V10D120C-M3/I 威世 | 类似代替 | V20DM120C-M3/I和V10D120C-M3/I的区别 |