OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics
OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。
线性电流限制
热关闭
短路保护
ESD 保护
一体式夹
### 智能电源开关,STMicroelectronics
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
立创商城:
VND5N07 E
欧时:
STMicroelectronics VND5N07-E, 单输出 智能电源开关, OMNIFET:全自动保护功率 MOSFET, 5A, 70V, 3引脚
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 70 V, 0.2 ohm, 10 V, 55 V
艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 7A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube
安富利:
Power Switch Lo Side 5A 3-Pin2+Tab TO-252 Tube
富昌:
VND5N07 Single Low Side Autoprotected 70 V 5 A 0.2 Ohm Power MosFet TO-252-3
Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 1-OUT 5A 0.2Ohm Automotive 3-Pin2+Tab TO-252 Tube
Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 7A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252 Tube
Newark:
MOSFET MODULE, 70V, 5A, TO-252
输出接口数 1
输出电流 7 A
供电电流 0.25 mA
通道数 1
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 55 V
漏源极电压Vds 70 V
漏源击穿电压 70.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输入电压Max 18 V
输出电流Max 3.5 A
输出电流Min 5 A
输入数 1
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 60000 mW
输入电压 18 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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