VND5N07-E

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VND5N07-E概述

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹

### 智能电源开关,STMicroelectronics


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK


立创商城:
VND5N07 E


欧时:
STMicroelectronics VND5N07-E, 单输出 智能电源开关, OMNIFET:全自动保护功率 MOSFET, 5A, 70V, 3引脚


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 70 V, 0.2 ohm, 10 V, 55 V


艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 7A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube


安富利:
Power Switch Lo Side 5A 3-Pin2+Tab TO-252 Tube


富昌:
VND5N07 Single Low Side Autoprotected 70 V 5 A 0.2 Ohm Power MosFet TO-252-3


Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 1-OUT 5A 0.2Ohm Automotive 3-Pin2+Tab TO-252 Tube


Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 7A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252 Tube


Newark:
MOSFET MODULE, 70V, 5A, TO-252


VND5N07-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 7 A

供电电流 0.25 mA

通道数 1

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 55 V

漏源极电压Vds 70 V

漏源击穿电压 70.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

输入电压Max 18 V

输出电流Max 3.5 A

输出电流Min 5 A

输入数 1

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 60000 mW

输入电压 18 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VND5N07-E
型号: VND5N07-E
描述:OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。 线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics
替代型号VND5N07-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VND5N07-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

VND5N07

意法半导体

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