VNB20N07-E

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VNB20N07-E概述

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK


欧时:
### OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics


立创商城:
VNB20N07 E


贸泽:
MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET


e络盟:
电源负载分配开关, 低压侧, 18 V输入, 20 A, 0.05 ohm, 1输出, TO-263-3


艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 28A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


安富利:
Power Switch Lo Side 14A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


富昌:
VNB20N07 系列 70 V 0.05 Ω "OMNIFET" 自动保护 功率 Mosfet - D2PAK


TME:
Driver; low-side switch; 20A; 83W; Channels:1; D2PAK; Package: tube


Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 28A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


儒卓力:
**LSS 50mOhm 70V TO263-3 SMD **


VNB20N07-E中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

输出接口数 1

输出电流 28 A

供电电流 0.25 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 50 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

漏源击穿电压 70 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 240 ns

输入电压Max 18 V

输出电流Max 14 A

输出电流Min 14 A

输入数 1

下降时间 150 ns

耗散功率Max 83000 mW

输入电压 18 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNB20N07-E
型号: VNB20N07-E
描述:OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。 线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics
替代型号VNB20N07-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VNB20N07-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

VNB20N07

意法半导体

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