STMICROELECTRONICS VNP35N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics
OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。
线性电流限制
热关闭
短路保护
ESD 保护
一体式夹
立创商城:
VNP35N07-E
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
欧时:
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹### 智能电源开关,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 70V 35A OmniFET
艾睿:
Who knew safely switching between various voltage levels in an electronic circuit would be so easy with this low side VNP35N07-E power switch by STMicroelectronics. This charge controller has single output. This device has a maximum power dissipation of 125000 mW. It features 0.028Max Ohm switch on resistance. This charge controller has an input voltage of 18Max V. Its maximum power dissipation is 125000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube.
安富利:
Power Switch Lo Side 35A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
VNP35N07 Series 18 V 35 A 280 mOhm Fully Autoprotected Power Mosfet - TO-220AB
TME:
Driver; low-side switch; 35A; 125W; Channels:1; TO220-3; 70V
Verical:
Power Switch Lo Side 35A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**LSS 28mOhm 70V TO220-3 THT **
额定功率 125 W
输出接口数 1
输出电流 35 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 70.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
输入电压Max 18 V
输出电流Max 25 A
输出电流Min 35 A
输入数 1
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
输入电压 18 V
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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