VNS3NV04DP-E

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VNS3NV04DP-E概述

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics

OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。

线性电流限制

热关闭

短路保护

ESD 保护

一体式夹


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO


欧时:
STMicroelectronics VNS3NV04DP-E 负载开关集成电路, OMNIFET:全自动保护功率 MOSFET, 3.5A, 40V, 8引脚


艾睿:
Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 7A Automotive 8-Pin SO N Tube


安富利:
Power Switch Lo Side 3.5A 8-Pin SO N Tube


富昌:
VNS3NV04DP Series 40 V 5 A OMNIFET II Fully Autoprotected Power Mosfet - SOIC-8


Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 2-OUT 3.5A 0.12Ohm Automotive 8-Pin SO N Tube


TME:
Driver; low-side switch; 3.5A; 4W; Channels:2; SO8; Package: tube


Verical:
Current Limit SW 2-IN 2-OUT to 7A Automotive 8-Pin SO N Tube


儒卓力:
**2xLSS 120mOhm 40V SO-8 SMD **


VNS3NV04DP-E中文资料参数规格
技术参数

额定功率 4 W

输出接口数 2

输出电流 3.5 A

供电电流 0.1 mA

通道数 2

针脚数 8

输出电流Max 3.5 A

输出电流Min 3.5 A

输入数 2

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNS3NV04DP-E
型号: VNS3NV04DP-E
描述:OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。 线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics
替代型号VNS3NV04DP-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VNS3NV04DP-E

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

VNS3NV04DPTR-E

意法半导体

完全替代

VNS3NV04DP-E和VNS3NV04DPTR-E的区别

VNS3NV04D

意法半导体

完全替代

VNS3NV04DP-E和VNS3NV04D的区别

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