VSB3200-M3/54

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VSB3200-M3/54概述

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

**Features:

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* Trench MOS Schottky Technology**

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* Low Forward Voltage Drop, Low Power Losses**

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* High Efficiency Operation**

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* Solder Bath Temperature 275°C Max. 10 s, Per JESD 22-B106**

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* Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU**

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

Applications:

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* For Use in Solar Cell Junction Box as a Bypass Diode for Protection, Using DC Forward Current without Reverse Bias

VSB3200-M3/54中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.2V @3A

正向电流 3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 90 A

正向电压Max 1.2 V

正向电流Max 3 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AD

外形尺寸

高度 7.6 mm

封装 DO-201AD

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: VSB3200-M3/54
描述:TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

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