VBT1045BP-E3/4W

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

**Features:

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* Trench MOS Schottky Technology**

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* Low Forward Voltage Drop, Low Power Losses**

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* High Efficiency Operation**

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* Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum Peak of 245°C**

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* Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU**

Applications:

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* For Use in Solar Cell Junction Box as a Bypass Diode for Protection, Using DC Forward Current without Reverse Bias

得捷:
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB

贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 10A 45V TrenchMOS

艾睿:
Diode Schottky 45V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube

Allied Electronics:
Semiconductor, Rectifier; Trench MOS Barrier Schottky, Single; 45V; 10A; TO-263AB

安富利:
Diode Schottky 45V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube

富昌:
VBT1045BP 系列 10 A 45 V Trench MOS 势垒 肖特基整流器 - TO-263AB

Verical:
Diode Schottky 45V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube