VBT2060G-E3/8W

VBT2060G-E3/8W图片1
VBT2060G-E3/8W概述

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 10A Surface Mount TO-263-3, D²Pak 2 Leads + Tab, TO-263AB


得捷:
DIODE SCHOTTKY 10A 60V TO-263AB


艾睿:
Diode Schottky 60V 20A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


VBT2060G-E3/8W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 900mV @10A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: VBT2060G-E3/8W
描述:双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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