VBT1045BP-E3/8W参数规格_中文资料_数据手册PDF

VBT1045BP-E3/8W概述

Vishay Semiconductor

Diode Schottky 45V 10A DC Surface Mount TO-263AB

得捷:
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB

艾睿:
Diode Schottky 45V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R

富昌:
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

Verical:
Diode Schottky 45V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R

VBT1045BP-E3/8W中文资料参数规格

技术参数

正向电压 680mV @10A

正向电流 10 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 100 A

正向电压Max 680 mV

正向电流Max 10 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温 -40℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.45 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.14 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VBT1045BP-E3/8W

型号： VBT1045BP-E3/8W

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Vishay Semiconductor

立即咨询

替代型号VBT1045BP-E3/8W

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VBT1045BP-E3/8W Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
VBT1045BP-E3/4W 威世	类似代替	VBT1045BP-E3/8W和VBT1045BP-E3/4W的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

VBT1045BP-E3/8W

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

VBT1045BP-E3/4W

威世

类似代替

VBT1045BP-E3/8W和VBT1045BP-E3/4W的区别