V10P10HM3_A/H参数规格_中文资料_数据手册PDF

V10P10HM3_A/H概述

DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A

Diode Schottky 100V 10A Surface Mount TO-277A SMPC

得捷:
DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A

艾睿:
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

V10P10HM3_A/H中文资料参数规格

技术参数

正向电压 680mV @10A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerDFN-3

外形尺寸

封装 PowerDFN-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS-conform

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： V10P10HM3_A/H

描述：DIODE GEN PURP 100V 10A TO277A