V12P10HM3/86A参数规格_中文资料_数据手册PDF

V12P10HM3/86A概述

高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Diode Schottky 100V 12A Surface Mount TO-277A SMPC

得捷:
DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A

艾睿:
Diode Schottky 100V 12A Automotive 3-Pin2+Tab SMPC T/R

安富利:
Diode Schottky 100V 12A 3-Pin SMPC T/R

V12P10HM3/86A中文资料参数规格

技术参数

正向电压 700mV @12A

正向电压Max 700mV @12A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerDFN-3

外形尺寸

封装 PowerDFN-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买V12P10HM3/86A

型号： V12P10HM3/86A

描述：高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

替代型号V12P10HM3/86A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
V12P10HM3/86A Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
V12P10HE3/86A 威世	完全替代	V12P10HM3/86A和V12P10HE3/86A的区别
V12P10-E3/87A 威世	完全替代	V12P10HM3/86A和V12P10-E3/87A的区别
V12P10-M3/87A 威世	类似代替	V12P10HM3/86A和V12P10-M3/87A的区别