VBT10200C-E3/8W参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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VBT10200C-E3/8W中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.6V @5A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买VBT10200C-E3/8W

型号： VBT10200C-E3/8W

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：肖特基二极管与整流器 10A 200V TrenchMOS

替代型号VBT10200C-E3/8W

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VBT10200C-E3/8W Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
VBT10200C-E3/4W 威世	完全替代	VBT10200C-E3/8W和VBT10200C-E3/4W的区别
VB60170G-E3/4W 威世	功能相似	VBT10200C-E3/8W和VB60170G-E3/4W的区别
BT102 威世	功能相似	VBT10200C-E3/8W和BT102的区别