VFT2060G-E3/4W参数规格_中文资料_数据手册PDF

VFT2060G-E3/4W概述

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 10A DC Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

得捷:
DIODE SCHOTTKY 10A 60V ITO-220AB

艾睿:
Diode Schottky 60V 20A 3-Pin3+Tab ITO-220AB Tube

安富利:
20A,60V, DUAL TRENCH SKY RECT.

VFT2060G-E3/4W中文资料参数规格

技术参数

正向电压 900mV @10A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买VFT2060G-E3/4W

型号： VFT2060G-E3/4W

描述：双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

替代型号VFT2060G-E3/4W

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VFT2060G-E3/4W Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
VFT2060G-M3/4W 威世	完全替代	VFT2060G-E3/4W和VFT2060G-M3/4W的区别
D10SC6M 新电元	功能相似	VFT2060G-E3/4W和D10SC6M的区别
DSB20C60PN IXYS Semiconductor	功能相似	VFT2060G-E3/4W和DSB20C60PN的区别