VS-ETL0806-M3参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-ETL0806-M3概述

VISHAY VS-ETL0806-M3 标准功率二极管, 单, 600 V, 8 A, 1.1 V, 250 ns, 120 A

Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220-2

得捷:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

e络盟:
VISHAY VS-ETL0806-M3 标准功率二极管, 单, 600 V, 8 A, 1.1 V, 250 ns, 120 A

艾睿:
Diode Switching 600V 8A 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube

Newark:
# VISHAY VS-ETL0806-M3 Standard Power Diode, 600 V, 8 A, Single, 1.1 V, 250 ns, 120 A

VS-ETL0806-M3中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.07V @8A

反向恢复时间 250 ns

正向电流 8 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 120 A

正向电压Max 1.1 V

正向电流Max 8 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买VS-ETL0806-M3

型号： VS-ETL0806-M3

描述：VISHAY VS-ETL0806-M3 标准功率二极管, 单, 600 V, 8 A, 1.1 V, 250 ns, 120 A

替代型号VS-ETL0806-M3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VS-ETL0806-M3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
STTH8L06D 意法半导体	功能相似	VS-ETL0806-M3和STTH8L06D的区别
MUR860 台湾半导体	功能相似	VS-ETL0806-M3和MUR860的区别
UFT800J Diotec Semiconductor	功能相似	VS-ETL0806-M3和UFT800J的区别