VB10150S-E3/4W概述
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A
Diode Schottky 150V 10A Surface Mount TO-263AB
得捷:
DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB
艾睿:
Diode Schottky 150V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube
安富利:
Diode Schottky 150V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube
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型号： VB10150S-E3/4W
描述：高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A
替代型号VB10150S-E3/4W
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
VB10150S-E3/4W Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
VB10150S-E3/8W 威世 | 完全替代 | VB10150S-E3/4W和VB10150S-E3/8W的区别 |
RS10.15% 台湾半导体 | 功能相似 | VB10150S-E3/4W和RS10.15%的区别 |