VBT3060C-E3/4W

VBT3060C-E3/4W图片1
VBT3060C-E3/4W概述

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 15A Surface Mount TO-263-3, D²Pak 2 Leads + Tab, TO-263AB


得捷:
DIODE SCHOTTKY 30A 60V TO-263AB


艾睿:
Diode Schottky 60V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube


安富利:
30A,60V,DUAL TRENCH SKY RECT.


VBT3060C-E3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 700mV @15A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买VBT3060C-E3/4W
型号: VBT3060C-E3/4W
描述:双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
替代型号VBT3060C-E3/4W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VBT3060C-E3/4W

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SBG3060CT-T-F

美台

类似代替

VBT3060C-E3/4W和SBG3060CT-T-F的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司