VB10150S-E3/8W

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VB10150S-E3/8W概述

高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Diode Schottky 150V 10A Surface Mount TO-263AB


得捷:
DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB


艾睿:
Diode Schottky 150V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


安富利:
Diode Schottky 150V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


VB10150S-E3/8W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.2V @10A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 120 A

正向电压Max 1.2V @10A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VB10150S-E3/8W
型号: VB10150S-E3/8W
描述:高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
替代型号VB10150S-E3/8W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VB10150S-E3/8W

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

VB10150S-E3/4W

威世

完全替代

VB10150S-E3/8W和VB10150S-E3/4W的区别

RS10.15%

台湾半导体

功能相似

VB10150S-E3/8W和RS10.15%的区别

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