VFT3060G-E3/4W参数规格_中文资料_数据手册PDF

VFT3060G-E3/4W概述

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 15A Through Hole TO-220-3 Isolated Tab

得捷:
DIODE SCHOTTKY 15A 60V ITO-220AB

艾睿:
Diode Schottky 60V 30A 3-Pin3+Tab ITO-220AB Tube

安富利:
30A,60V, DUAL TRENCH SKY RECT.

VFT3060G-E3/4W中文资料参数规格

技术参数

正向电压 730mV @15A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买VFT3060G-E3/4W

型号： VFT3060G-E3/4W

描述：双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

替代型号VFT3060G-E3/4W

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
VFT3060G-E3/4W Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
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