VBT3080C-E3/8W

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VBT3080C-E3/8W概述

双Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 80V 15A Surface Mount TO-263-3, D²Pak 2 Leads + Tab, TO-263AB


得捷:
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB


贸泽:
肖特基二极管与整流器 30A,80V,Trench


艾睿:
Diode Schottky 80V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


安富利:
Diode Schottky 80V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


Chip1Stop:
Diode Schottky 80V 30A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


VBT3080C-E3/8W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 820mV @15A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买VBT3080C-E3/8W
型号: VBT3080C-E3/8W
描述:双Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
替代型号VBT3080C-E3/8W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VBT3080C-E3/8W

Vishay Semiconductor 威世

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完全替代

VBT3080C-E3/8W和VBT3080C-E3/4W的区别

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