VS-10ETS12S-M3参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-10ETS12S-M3概述

2A 至 10A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

Diode Standard 1200V 10A Surface Mount D2PAK

得捷:
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

欧时:
### 标准恢复整流器，2A 至 10A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

艾睿:
10A, High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode

VS-10ETS12S-M3中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.1V @10A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 200 A

正向电流Max 10 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买VS-10ETS12S-M3

型号： VS-10ETS12S-M3

描述：2A 至 10A 采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor