VB20200C-E3/8W

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VB20200C-E3/8W概述

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.60 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 10A Surface Mount TO-263-3, D²Pak 2 Leads + Tab, TO-263AB


得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263


艾睿:
Diode Schottky 200V 20A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


安富利:
Diode Schottky 200V 20A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R


VB20200C-E3/8W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.6V @10A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VB20200C-E3/8W
型号: VB20200C-E3/8W
描述:双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.60 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A
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VB20200C-E3/8W

Vishay Semiconductor 威世

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