VB20120C-E3/4W概述
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Surface Mount TO-263-3, D²Pak 2 Leads + Tab, TO-263AB
得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263
贸泽:
肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS
艾睿:
Diode Schottky 120V 20A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube
安富利:
Diode Schottky 120V 20A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube
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型号： VB20120C-E3/4W
描述：双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
替代型号VB20120C-E3/4W
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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VB20120C-E3/8W 威世 | 类似代替 | VB20120C-E3/4W和VB20120C-E3/8W的区别 |