VS-10ETS12PBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-10ETS12PBF概述

VISHAY VS-10ETS12PBF 标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 10 A, 975 mV, 200 A

The is a high-voltage Input Rectifier Diode optimized for very low forward voltage drop with moderate leakage. It is intended for use in main rectification single or three phase bridge.

得捷:
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

艾睿:
Diode Switching 1.2KV 10A 2-Pin2+Tab TO-220AC

Newark:
# VISHAY VS-10ETS12PBF Rectifier Diode, Single, 1.2 kV, 10 A, 975 mV, 200 A, 150 C

VS-10ETS12PBF中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.1V @10A

热阻 2.5℃/W RθJC

正向电流 10 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 200 A

正向电压Max 975 mV

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.51 mm

高度 15.25 mm

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号： VS-10ETS12PBF

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY VS-10ETS12PBF 标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 10 A, 975 mV, 200 A

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