VF20120C-E3/4W

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VF20120C-E3/4W概述

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab


得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220


贸泽:
肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS


艾睿:
Diode Schottky 120V 20A 3-Pin3+Tab ITO-220AB Tube


VF20120C-E3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 900mV @10A

正向电压Max 900mV @10A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.26 mm

宽度 4.83 mm

高度 8.89 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VF20120C-E3/4W
型号: VF20120C-E3/4W
描述:双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
替代型号VF20120C-E3/4W
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