V60100C-E3/4W

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V60100C-E3/4W概述

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

**Features:**

* Trench MOS Schottky Technology

* Low Forward Voltage Drop, Low Power Losses

* High Efficiency Operation

* Low Thermal Resistance

* Meets MSL Level 1, Oer J-STD-020, LF Maximum Peak of 245°C For TO-263AB Package

* Solder Dip 260°C, 40 s For TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA Package

* Component in Accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

**Applications:

**For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

V60100C-E3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 0.79 V

热阻 2.5℃/W RθJC

正向电流 60 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 320 A

正向电压Max 790 mV

正向电流Max 60 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.32 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买V60100C-E3/4W
型号: V60100C-E3/4W
描述:TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
替代型号V60100C-E3/4W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

V60100C-E3/4W

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

V60100C-M3/4W

威世

功能相似

V60100C-E3/4W和V60100C-M3/4W的区别

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