VS-HFA08TA60C-N3

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VS-HFA08TA60C-N3概述

HEXFRED® 超快恢复整流器,Vishay SemiconductorVishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器,包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构,可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。### 特点超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 RFI 和电磁干扰 EMI 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

Diode Standard 600V 4A Through Hole TO-220AB


欧时:
### HEXFRED® 超快恢复整流器,Vishay SemiconductorVishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器,包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构,可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。### 特点超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 RFI 和电磁干扰 EMI 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor


得捷:
DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB


艾睿:
Diode Switching 600V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
HEXFREDS - TO-220-E3


VS-HFA08TA60C-N3中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.8V @4A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 25 A

正向电流Max 4 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.02 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买VS-HFA08TA60C-N3
型号: VS-HFA08TA60C-N3
描述:HEXFRED® 超快恢复整流器,Vishay Semiconductor Vishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器,包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构,可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。 ### 特点 超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 RFI 和电磁干扰 EMI 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

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