VS-1N1200A

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VS-1N1200A概述

11A 至 40A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Voltage Ratings from 50 to 1000 V

* High Surge Current Capability

* Low Thermal Impedance

* High Temperature Rating

* Can Be Supplied as JAN and JAN-TX Devices in Accordance with MIL-S-19500/260

* RoHS Compliant


得捷:
DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA


艾睿:
Diode 100V 12A 2-Pin DO-4


Allied Electronics:
DIODE; 12A IF; 100V; 2.0C/W; 230 A @ 50HZ, 240 A @ 60 HZ IFMS; 2.5MA IR; -65C


Newark:
# VISHAY  VS-1N1200A  Diode Module, 100 V, 12 A, 1.35 V


VS-1N1200A中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.35 V

热阻 2℃/W RθJC

正向电流 12 A

正向电压Max 1.35 V

正向电流Max 12 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 200 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 2

封装 DO-203AA

外形尺寸

长度 31.8 mm

高度 11 mm

封装 DO-203AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: VS-1N1200A
描述:11A 至 40A 采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

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