VS-1N1183参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-1N1183概述

11A 至 40A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

**Features:**

* Low Leakage Current Series

* Good Surge Current Capability Up to 1000 A

* Can Be Supplied to Meet Stringent Military, Aerospace and Other High Reliability Requirements

* RoHS Compliant

得捷:
DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB

艾睿:
Diode 50V 140A 2-Pin DO-5

Newark:
# VISHAY VS-1N1183 Diode Module, 50 V, 35 A, 1.7 V

VS-1N1183中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.7V @110A

热阻 1℃/W RθJC

正向电流 35 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 595 A

正向电压Max 1.7 V

正向电流Max 35 A

工作温度Max 190 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 200 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 2

封装 DO-203AB

外形尺寸

长度 20.02 mm

宽度 17.35 mm

高度 36.9 mm

封装 DO-203AB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 190℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-1N1183

描述：11A 至 40A 采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor