VS-1N1186RA参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-1N1186RA概述

11A 至 40A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

Diode Standard, Reverse Polarity 200V 40A Chassis, Stud Mount DO-203AB

得捷:
DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB

艾睿:
Diode Switching 200V 40A 2-Pin DO-5

VS-1N1186RA中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.3V @126A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 800 A

正向电压Max 1.3V @126A

正向电流Max 40 A

工作温度Max 190 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 2

封装 DO-203AB

外形尺寸

长度 20.02 mm

宽度 17.35 mm

高度 22.9 mm

封装 DO-203AB

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-1N1186RA

描述：11A 至 40A 采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor