VS-1N1186

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VS-1N1186概述

Diode; 35A Max. If; 1.7V Max.; 200V; 1c/w; 480A Ifms; 10A Ir; Do-203ab

**Features:**

* Low Leakage Current Series

* Good Surge Current Capability Up to 1000 A

* Can Be Supplied to Meet Stringent Military, Aerospace and Other High Reliability Requirements

* RoHS Compliant


得捷:
DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB


艾睿:
Diode 200V 2-Pin DO-5


Newark:
# VISHAY  VS-1N1186  Diode Module, 200 V, 35 A, 1.7 V


VS-1N1186中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7 V

热阻 1℃/W RθJC

正向电流 35 A

正向电压Max 1.7 V

工作温度Max 190 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 200 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 2

封装 DO-203AB

外形尺寸

高度 36.9 mm

封装 DO-203AB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 190℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VS-1N1186
型号: VS-1N1186
描述:Diode; 35A Max. If; 1.7V Max.; 200V; 1c/w; 480A Ifms; 10A Ir; Do-203ab

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