VS-GB70NA60UF参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GB70NA60UF概述

VISHAY VS-GB70NA60UF IGBT Single Transistor, 111A, 2.23V, 447W, 600V, SOT-227, 4Pins

IGBT Module NPT Single 600V 111A 447W Chassis Mount SOT-227

得捷:
IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 111A 4-Pin SOT-227

VS-GB70NA60UF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 447 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 447 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 447000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.3 mm

宽度 25.7 mm

高度 12.3 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-GB70NA60UF

描述：VISHAY VS-GB70NA60UF IGBT Single Transistor, 111A, 2.23V, 447W, 600V, SOT-227, 4Pins