VS-CPV363M4UPBF

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VS-CPV363M4UPBF概述

VISHAY VS-CPV363M4UPBF IGBT Array & Module Transistor, 13A, 600V, 36W, 600V, Module

IGBT Module 600V 13A 36W IMS-2


得捷:
IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2


Newark:
# VISHAY  VS-CPV363M4UPBF  IGBT Array & Module Transistor, 13 A, 600 V, 36 W, 600 V, Module


VS-CPV363M4UPBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 36 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 1.1nF @30V

额定功率Max 36 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 36000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 13

封装 SIP-19

外形尺寸

高度 21.97 mm

封装 SIP-19

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VS-CPV363M4UPBF
型号: VS-CPV363M4UPBF
描述:VISHAY VS-CPV363M4UPBF IGBT Array & Module Transistor, 13A, 600V, 36W, 600V, Module

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