VS-GB50LP120N参数规格_中文资料_数据手册PDF

VS-GB50LP120N概述

Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 100A 5Pin INT-A-PAK

IGBT Module Single 1200V 100A 446W Chassis Mount INT-A-PAK

得捷:
IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 100A 5-Pin INT-A-PAK

安富利:
OUTPUT & SW MODULES - IAP IGBT

VS-GB50LP120N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 446000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 4.29nF @25V

额定功率Max 446 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 446000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 5

封装 INT-A-PAK

外形尺寸

封装 INT-A-PAK

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： VS-GB50LP120N

描述：Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 100A 5Pin INT-A-PAK